孙继荣，男，现任中国科学院物理研究所研究员，博士研究生导师，中国科学院磁学国家重点实验室副主任，课题组长，
2002
年国家杰出青年基金获得者。
1982
年毕业于吉林大学物理系，
1989
年获中国科学院物理研究所理学博士学位，
1999
年晋升为研究员。
1997-2003
曾经先后多次在香港中文大学、香港大学进行访问研究。
研究方向：
（1）氧化物磁电子学；
（2）电荷、轨道及自旋序调控与自旋极化电子输运行为；
（3）氧化物人工结构材料设计及维度/界面、层间耦合效应；
（4）多铁氧化物及其人工结构设计、物性调控；
（5）可记忆电致电阻效应研究。首先发现并系统研究了锰氧化物中的电/磁相分离现象，给出了相分离在磁性和电子输运方面的特征行为及其和大磁电阻效应之间的关系。相分离的普遍性现已为实验所证实并成为理解磁电阻效应的关键。（2）成功设计了具有磁场依赖整流特性的氧化物p-n结，发现了新颖的结磁电阻效应以及光伏特效应，后者直接给出了微观电子过程的信息。（3）研究了可用于信息技术的非挥发电致电阻效应，提出了新的物理模型，大大深化了对于这一新物理效应的认识。已在Phys. Rev. Lett、Appl. Phys. Lett和Phys. Rev. B等国际著名杂志上发表文章150余篇，他人引用1000余次。现为Phys. Rev. Lett/Phys. Rev B和Appl. Phys. Lett/J. Appl. Phys审稿人，《Chinese Physics Letters》特约评审。
研究课题：
目前承担科技部973/重大专项《量子有序现象的及其多场耦合效应》、《巨电致电阻材料的设计及相关性能》以及《金属间化合物的室温巨磁熵变》等3项；国家基金委创新群体项目《自旋电子学材料相关物理与原型器件研究》1项；国家重点科学基金项目《磁介电材料的基础问题》1项，中国科学院百人计划项目1项，以及国家基金委面上基金2项。
